在当前全球科技与产业深刻变革的浪潮中，功率半导体不仅是能源转型的核心抓手，更是驱动人工智能、新能源汽车、绿色能源等战略性新兴产业迈向高质量发展的关键引擎。值此产业承前启后的关键时点，6月26日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网、第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）”在上海盛大启幕。会议汇聚政、产、学、研、用各界精英代表，议题覆盖技术前沿与产业实践，聚焦前沿技术动态，着力探讨解决产业链痛点，共同面对全球供应链重构和技术迭代加速带来的挑战，把握新能源汽车、人工智能算力、绿色能源等万亿级市场带来的历史性机遇。 

开幕大会现场

CSPSD2026大会主席、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长狄增峰研究员，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华研究员，CSPSD联合发起人、电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授，北京大学理学部副主任沈波教授，南京邮电大学党委书记郭宇锋教授，江苏第三代半导体研究院院长、中国科学院苏州纳米所原副所长 徐科研究员，深圳平湖实验室万玉喜主任，加拿大多伦多大学纳米中心主任吴伟东教授，台湾大学荣休教授、美国肯尼索州立大学兼职教授冯哲川博士，德国德累斯顿-罗森道夫亥姆霍兹研究中心周生强教授，香港大学先进半导体与集成电路中心副主任张宇昊教授，西安电子科技大学贾仁需教授，中国科学院上海微系统与信息技术研究所程新红研究员，上海瞻芯电子科技股份有限公司张永熙博士，上海芯钬量子科技有限公司首席科学家努鲁尔·阿利亚斯博士，上海电驱动股份有限公司张舟云总工程师，上海鼎泰匠芯科技有限公司总经理黄文康，派恩杰半导体（浙江）有限公司董事长黄兴博士，上海新微半导体有限公司总经理王庆宇博士，上海积塔半导体有限公司总经理助理兼七厂厂长吴贤勇等业内知名专家学者、行业组织领导、企业领袖精英出席会议开幕式。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博主持了开幕式环节。

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博主持了开幕式环节

聚焦新格局，融合共生

当前产业技术呈现“多代并存，重点突破”的格局。技术迭代加速，第三代半导体竞相绽放，国产替代进入深水区‌。与此同时，市场竞争格局正悄然生变。国内企业正通过聚焦细分领域、加速技术攻关和产能建设，在中高端市场寻求更多突破，国产化率稳步攀升。

CSPSD2026大会主席、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长狄增峰

CSPSD2026大会主席、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长狄增峰研究员为会议致辞时表示，在“双碳”目标纵深推进、新能源与人工智能加速融合的背景下，功率半导体器件正朝着高频、高压、高温、高可靠性方向快速发展，新技术、新结构、新材料不断涌现。本次会议聚焦功率半导体器件设计、制造工艺、封装集成及应用创新，汇聚了国内外众多顶尖学者与行业翘楚，分享最新研究成果，探讨前沿技术挑战，展示典型应用案例。期待通过深度交流，激发创新活力，打通产学研用链条，助力我国功率半导体产业链自主可控与高质量发展。

 第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华研究员

第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华研究员致辞时表示，近年来，我国功率半导体产业走出了一条从跟跑到并跑、部分领域领跑的中国特色突破之路。传统硅基器件不断逼近性能极限，碳化硅、氮化镓等第三代半导体实现从实验室到规模化量产的跨越，氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带材料也开始进入技术探索的深水期，整个产业形成了技术层层迭代、产品多点开花的良好格局，这些都让人对产业未来充满信心。同时，伴随市场需求升级，行业在核心技术、供应链及产业生态方面仍有瓶颈亟待突破，产业链协同创新是破局关键。

CSPSD联合发起人、电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授

功率半导体器件与集成电路的发展正迎来前所未有的历史机遇，会议搭建了一个高端的学术产业交流平台，更提供了一个凝聚共识、深化合作的重要契机。CSPSD联合发起人、电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授致辞时表示，希望业界同仁借助这次会议平台，交流研究成果、实践经验、产业痛点。同时能深化合作，凝聚共识，共同推动我国功率半导体产业构建更加完善的创新生态，牢牢抓住产业变革的机遇，实现更高水平的自立自强。

紧扣时代脉搏，引领技术风向

当前，功率半导体领域正处于“硅基筑牢根基、宽禁带加速渗透、超宽禁带探索突破”的多层次、多材料体系并行发展的关键阶段。‌硅基功率器件‌通过持续迭代，依然在中低压应用与成本敏感领域稳居主导地位。而以‌碳化硅和‌氮化镓为代表的‌宽禁带半导体‌正快速迈向产业化纵深。同时，以‌氧化镓、金刚石等为代表的‌超宽禁带半导体‌，以其在超高电压、耐高温和更低成本控制方面的巨大潜力，已成为下一代功率技术的研发焦点与前沿探索方向，预示着一个更高性能、更低损耗的未来。 

开幕大会主旨报告环节，北京大学理学部副主任、博雅特聘教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波，电子科技大学集成电路研究中心主任、教授，四川省功率半导体技术工程研究中心主任张波，上海瞻芯电子科技股份有限公司董事长兼CEO张永熙，加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任吴伟东，上海芯钬量子科技有限公司首席科学家努鲁尔·阿利亚斯博士，大洋电机副总裁、上海电驱动副总经理&总工程师张舟云，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红等重量级专家们领衔，带来七大前沿主旨报告，从基础研究、技术突破、产业应用到未来趋势的全链条覆盖与深度交流，精彩纷呈。南京邮电大学党委书记郭宇锋教授和江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所原副所长徐科研究员共同主持了大会主旨报告环节。

南京邮电大学党委书记郭宇锋教授

江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所原副所长徐科研究员

沈波

北京大学理学部副主任、博雅特聘教授、宽禁带半导体研究中心主任

《氮化物半导体中的缺陷和缺陷工程》

高质量材料的外延生长是器件研制的基础，迄今为止蓝宝石或Si衬底上的大失配外延依然是氮化物半导体制备的主流方法，由此导致的高缺陷密度严重影响了材料性质和器件性能的提升。北京大学理学部副主任、博雅特聘教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波做了“氮化物半导体中的缺陷和缺陷工程”的大会报告。介绍了北京大学近年来在氮化物半导体缺陷认知和缺陷利用，即缺陷物理和缺陷工程研究上取得的进展。报告指出，深入理解并有效调控半导体材料中的缺陷，并加以利用，是实现高性能、高可靠性半导体材料和器件的关键科学和技术基础之一。研究创新发展了红外光谱技术，揭示了GaN中C杂质的原子构型和振动特性；创新发展了STEM电镜深度切片方法，在原子尺度上揭示了混合型位错攀移的动力学规律；基于缺陷工程理念，通过对点缺陷和杂质的调控和利用，实现了高质量的Si衬底上GaN外延厚膜和极低射频损耗的 AlGaN/GaN异质结构。报告认为，借鉴Si材料和集成电路领域的缺陷工程理念和技术，创新发展宽禁带半导体材料和器件的缺陷工程技术大有可为。

张波

电子科技大学功率集成技术实验室主任

《AI浪潮下功率半导体技术的发展机遇》

人工智能（AI）正一步步走向各个领域，改变着我们的生活。数据中心是支撑人工智能发展的核心基础设施与算力底座，算力的底座是能源。功率半导体作为新能源的基础电子器件，在AI时代有何机遇？应该如何发展？电子科技大学功率集成技术实验室主任张波带来了“AI浪潮下功率半导体技术的发展机遇”的大会报告，深度解析AI时代功率半导体的机遇与挑战，以及借势发展之道。

张永熙

瞻芯电子董事长兼CEO

《从新能源汽车、AI电源架构到面向高效率电力变换和电力保护的SiC功率半导体》

在AI电源架构产品对SiC功率器件的牵引下，包括高功率密度、高效率服务器电源、800V DCDC变换、固态变压器、以及热插拔等新兴应用已经成为SiC功率器件和模块产品技术迭代和进步的强力助推器。随着固态变压器和固态断路器在AI电源架构里的落地应用，将进一步打开SiC高压大功率器件和模块在未来十年甚至数十年中电力变换、传输和保护的巨大应用场景。上海瞻芯电子科技股份有限公司创始人、董事长兼CEO张永熙，带来“从新能源汽车、AI电源架构到面向高效率电力变换和电力保护的SiC功率半导体”的大会报告，分享了SiC粉体技术的商业化与应用、高功率SiC的技术发展与挑战、IVCT超高压SiC功率器件开发等进展。报告指出，2035年后，预计将使用6个50mm2的SiC MOSFET芯片为牵引逆变器构建1200V 800A的SiC功率模块（假设散热创新也在继续），高压和高功率应用需要更大的单芯片尺寸。

吴伟东

加拿大多伦多大学教授，多伦多纳米制造中心主任

《从电网到芯片——功率半导体的视角》

加拿大多伦多大学教授，多伦多纳米制造中心主任吴伟东将带来“从电网到芯片——功率半导体的视角”的大会报告，报告跳出单一器件或单一应用的视角，从电网到终端芯片的完整能量链路切入，结合当前全球功率半导体技术发展的现状，探讨宽禁带半导体替代过程中的机遇与挑战，并对下一代功率器件技术方向与产业前景做出前瞻判断。

努鲁尔·阿利亚斯

芯钬量子首席科学家

《高k栅极电介质在Ga₂O₃ MOSFET中的性能分析》

尽管具有优势，β-Ga₂O₃金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的静电性能和开关性能仍高度依赖于栅极介电层工程。以往研究主要集中在Al₂O₃栅极介电层上，而涉及其他高k介电材料的对比研究仍较为有限。芯钬量子首席科学家努鲁尔·阿利亚斯博士做了“高k栅极电介质在Ga₂O₃ MOSFET中的性能分析”的大会报告，分享最新研究成果。研究系统地分析了栅极介电工程对β-Ga₂O₃的影响，使用NUWA TCAD模拟MOSFET性能。研究采用NUWA TCAD框架成功研制并验证了一款耗尽型β-Ga₂O₃MOSFET。在tox为10和20纳米时，对SiO₂、Al₂O₃、HfO₂和ZrO₂进行了系统性对比。研究显示，介电常数（κ）的增加可增强静电栅极控制能力。

张舟云

大洋电机副总裁、上海电驱动副总经理&总工程师

《新能源汽车电驱动系统功率半导体器件集成应用与挑战》

电驱动系统正向‌高密度、高效率、高可靠、长寿命、大出力和宽调速‌的方向演进，具体体现在高电流密度、动态响应性能、高频运行、电压平台从400V向800V及更高电压发展等需求。为此，业界正推动从“三合一”到“多合一”的深度集成，将电机控制器、高压配电、DCDC、OBC等部件融合设计。与此同时，系统面临低损耗/谐波设计、低寄生电感集成、以及在严苛的汽车环境（温度冲击、功率循环、高机械振动）下确保高可靠性和长寿命的多重技术挑战。大洋电机副总裁、上海电驱动副总经理&总工程师张舟云做了“新能源汽车电驱动系统功率半导体器件集成应用与挑战”的主题报告，展示了基于IGBT、SiC和GaN三种不同功率半导体平台的成熟应用。报告显示，功率半导体技术的持续革新是驱动新能源汽车电驱动系统性能突破的关键。未来，整个产业将围绕 ‌“材料与器件创新（SiC/GaN）”、“封装与系统高度集成化”、“严苛的测试验证体系”和“智能健康管理”‌ 四大支柱，不断向更优的功率密度、效率、可靠性和安全性迈进。

程新红

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员

《基于机器学习的功率电子设计优化、模型建立与可靠性监测》

机器学习凭借强大的数据驱动拟合与智能决策能力，逐步成为突破功率电子器件设计、建模与可靠性监测技术壁垒的核心手段。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红做了“基于机器学习的功率电子设计优化、模型建立与可靠性监测”的大会报告，分享了微尺度器件设计优化、可靠性状态监控的研究进展。研究建立了建立用于短路工况评估的器件热电耦合模型。提出面向多尺度器件的加速统一电热建模框架。报告指出，AI 的角色正在从离线预测器升级为在线辨识器、数字孪生引擎与协同设计接口。近三年最具代表性的AI 辅助路线是数据驱动、物理先验、在线孪生与人机协同四层叠加。展望未来，近中期最可能率先落地的是器件设计优化，参数辨识，可靠性监测。LLM 设计助手更可能先以辅助接口而非全自动布局设计落地。 

圆桌对话现场

当前，碳化硅、氮化镓产业化进入规模化渗透的深水区，以氧化镓、金刚石为代表的超宽禁带半导体，正成为下一代功率半导体技术突破的核心赛道，更是支撑我国高端制造自主可控的关键战略方向。会议期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰的主持下，围绕功率半导体发展的热点与核心议题，上海鼎泰匠芯科技有限公司总经理黄文康，派恩杰半导体（浙江）有限公司CTO柯灏韬博士，中科院上海光机所研究员、富加镓业董事长齐红基，元芯半导体总经理、浙江大学研究员柯徐刚，杭州芯创德半导体有限公司总经理刘少煜，香港大学电气与计算机工程系正教授、先进半导体与集成电路中心副主任张宇昊等嘉宾与参会业界同仁现场探讨互动，观点碰撞，交流最新进展，拓展视野，气氛热烈。 

为推动我国功率半导体与集成电路产业技术创新，促进先进成果落地应用，树立行业标杆，本届会议组委会特组织“优秀功率半导体产品申报活动”，吸引了来自芯联集成、英诺赛科、积塔、北方华创、扬杰等一批产业链龙头厂商参与，经过评审专家的联合评审，进行了优秀技术创新产品、优秀市场表现、优秀工艺平台等三项荣誉颁发。

分会一：硅、碳化硅功率器件及封装

分会二： 氮化镓器件及集成应用

除了重量级开幕大会，会议多元板块重磅集结，技术与产业并举，一站式搭建产业交流、供需对接、资源互通的高质量平台。会议期间，“硅、碳化硅功率器件及封装”、“ 氮化镓器件及集成应用”、“半导体绿色厂务技术”、“氧化镓、金刚石功率器件及集成应用”等四大平行分会，近90个主题报告，100+专家、学者&企业精英，超100家单位，围绕相关领域的前沿热点、技术进展、应用、产业趋势等，展开深入探讨分享交流，共议发展新态势。此外还设有POSTER交流与评选、益企跑等丰富活动。 

分会三：半导体绿色厂务技术

分会四：氧化镓、金刚石功率器件及集成应用

会议同期，特别设有先进半导体技术应用专业展区，提供交流合作的平台，推动资源高效对接，助力捕捉合作新机遇。盛美半导体、索相科技、昕感科技、启扬光学、芯创德、博测锐创、新微半导体、麦科信、国磊半导体、富加镓业、时变通讯科技、康模数尔中国（COMSOL中国）、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、清纯半导体、芯钬量子、国联万众、微分科技、成都复锦功率半导体、蓝河科技、镓仁半导体、派恩杰半导体、深圳平湖实验室、鼎泰匠芯、瞻芯电子、海瑞电子、Silvaco等数十家产业链代表性企业、机构亮相，与业界同仁现场互动探讨，共促功率半导体器件与集成电路产业协同发展。

展示交流

展示交流

POSTER交流与评选

值得一提的是，上海功率半导体全产业链生态完整，也是国内集成电路产业发展高地，正在全力打造宽禁带半导体产业集群，也为国内功率半导体产业创新发展提供优质的创新土壤与发展机遇。会议期间，组委会有序组织了标杆企业实地参访行程，实地参观考察上海临港车规半导体研究院，上海鼎泰匠芯科技有限公司，近距离洞悉产业前沿工艺与规模化发展布局，深入发掘合作机会，共赢发展。   

标杆企业实地考察

益企跑活动

（会议内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）